RIE（反应离子蚀刻）

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RIE -反应离子蚀刻

原理和应用领域

RIE 工艺（反应离子蚀刻）是一种干式蚀刻工艺，主要用于电子和微电子生产中的快速表面清洁或活化、灰化光刻胶或在半导体晶片上构建电路。

如图 1 所示，通常使用所谓的平面板反应器。如果在 10-2 至 10-1 毫巴负压范围内向电极施加高频交流电压，就会点燃低压气体放电（等离子体）。由于等离子体中带电气体粒子（重离子、轻电子）的移动性不同，在较小的电极上会形成负电位，即所谓的自偏差电位。负电位的范围在 10 伏到 100 伏之间。

在使用正确的工艺气体时，位于较小电极上的基底（晶片、印刷电路板等）会产生两种效应：

通过与等离子体中的活性粒子反应，化学去除基底表面或现有杂质（等离子体蚀刻）
通过在电场中加速的离子在表面的直接动量传递进行物理去除（溅射蚀刻）

RIE 工艺结合了这两种效应的优点--高选择性、高蚀刻速率和各向异性去除。

系统

基于在高频等离子工艺领域的高水平知识和丰富经验， AURION开发了一系列 RIE 系统，这些系统的最大特点是灵活性和极高的性价比。该系列包括多种规格的系统，适用于各种基材、产量和去除率。由于装载能力强（最多可装载 25 片直径为 150 毫米的晶片或 20 片直径为 200 毫米的晶片），占地面积小（在无尘室内最大占地面积为 1.5 平方米），因此在某些工艺中，尽管没有昂贵的自动处理系统，也能实现每年超过 100,000 片晶片的吞吐量。这不仅对投资预算较少的公司非常有吸引力。

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类别
我们提供

国家
德国